随着人工智能领域的迅猛发展，对高速非易失存储技术的需求日益迫切。当前主流的非易失闪存因编程速度局限在百微秒级，难以满足前沿应用的高要求。在此背景下，复旦大学周鹏-刘春森团队在二维半导体存储技术上取得了重大突破，不仅将编程速度提升至纳秒级，还成功实现了1Kb规模的超快闪存阵列集成验证，为存储技术带来了颠覆性变革。
该研究团队通过创新的超界面工程技术，在规模化二维闪存中构建了原子级平整度的异质界面，结合高精度的表征技术，显著提升了集成工艺水平，远超国际同类技术。实验结果显示，该1Kb二维超快闪存阵列在纳秒级非易失编程速度下，良率高达98%，远超国际半导体技术路线图的标准要求，展示了极高的可靠性和实用性。
尤为值得一提的是，研究团队还自主研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合独特的超快存储叠层电场设计理论，成功打造出沟道长度仅为8纳米的超快闪存器件，这一尺寸不仅刷新了国际最短沟道闪存器件的记录，还突破了硅基闪存的物理尺寸极限。该器件在保持20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能的同时，展现了极高的技术前瞻性和应用潜力。
此项研究成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》为题，在国际知名期刊《自然-电子学》上发表，标志着中国在二维超快闪存技术领域的领先地位。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院的刘春森研究员和周鹏教授作为论文的通讯作者，博士生江勇波、曹振远为第一作者，共同为这一技术突破贡献了力量。该研究得到了科技部、基金委、上海市及教育部等多个部门的资助和支持，为未来的产业化应用奠定了坚实基础。
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